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DESCRIPTION
The EPC9001 development board is a 40 V maximum device volt-
age, 15 A maximum output current, half bridge with onboard gate
drives, featuring the EPC2015 enhancement mode ( eGaN ?) field
effect transistor (FET). The purpose of this development board is
to simplify the evaluation process of the EPC2015 eGaN FET by in-
cluding all the critical components on a single board that can be
www.epc-co.com
the Texas Instruments LM5113 gate driver, supply and bypass ca-
pacitors. The board contains all critical components and layout
for optimal switching performance. There are also various probe
points to facilitate simple waveform measurement and efficien-
cy calculation. A complete block diagram of the circuit is given
in Figure 1.
easily connected into any existing converter.
For more information on the EPC2015s eGaN FET please refer to
The EPC9001 development board is 2” x 1.5” and contains not
only two EPC2015 eGaN FET in a half bridge configuration using
Table 1: Performance Summary (TA = 25°C)
the datasheet available from EPC at www.epc-co.com. The data-
sheet should be read in conjunction with this quick start guide.
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN
MAX
UNITS
V DD
V IN
V OUT
I OUT
Gate Drive Input Supply Range
Bus Input Voltage Range
Switch Node Output Voltage
Switch Node Output Current
7
12
28*
40
15*
V
V
V
A
V PWM
PWM Logic Input Voltage Threshold
Minimum ‘High’ State Input Pulse Width
Minimum ‘Low’ State Input Pulse Width
Input ‘High’
Input ‘Low’
V PWM rise and fall time < 10ns
V PWM rise and fall time < 10ns
3.5
0
60
200 #
6
1.5
V
V
ns
ns
* Assumes inductive load, maximum current depends on die temperature – actual maximum current with be subject to switching frequency, bus voltage and thermals.
# Limited by time needed to ‘refresh’ high side bootstrap supply voltage.
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